SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别新型存储之MRAM资讯433
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR3、DDR4介绍及区别 SRAM:静态随机访问存储器 一个SRAM存储单元由4个晶体管和2个电阻器组成,利用晶体管的状态切换来存储数据,而不是电容器,因此读数据时不存在漏电问题,不需要刷新操作。但是由于SRAM需要的晶体管数多,因此成本高。 DRAM:动态随机访问存储器 一个DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成,利用电容量存储电量的多少来存储数据,由于电容器存在漏电问题,因此需要定期刷新。读数据时,电容量的电量会消失,因此每次访问之后,也需要刷新,以防止数据丢失。 SDRAM:同步动态随机访问存储器 同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。传统的DRAM在两个读周期之间需要等待一段时间,用于充电操作。而SDRAM一个模组有两个bank,在对一个bank充电时,可以操作另一个bank,实现流水线。 SDRAM的发展已经经历了五代:分别是SDR SDRAM、 DDR SDRAM、 DDR2 SDRAM、 DDR3 SDRAM、 DDR4 SDRAM。 DDR3: 2005年制造出DDR3的原型产品。2007年,市场开始使用DDR3内存芯片。 与DDR2相比,DDR3采用8bit预取,因此提供更高的传输速率(2133MT/s);更低的工作电压(1.5V,DDR2工作电压为1.8V),另外采用了不同的封装工艺,因此能耗更低。 延迟周期同样比DDR2增长,引脚数增加。 DDR4: 2011年,samsung宣布生产出第一个DDR4内存模块。2012年,samsung、Micron等开始量产DDR4 SDRAM芯片。 与DDR3相比,DDR4提供更高的时钟频率和传输速率(4166MT/s);更低的工作电压(1.05~1.2V),因此能耗更低。 |